Allgemein
| Basis-Teilenummer | JDH2S01 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.6pF @ 0.2V, 1MHz |
| Diode Type | Schottky - Single |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Product Status | Obsolete |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
|---|---|
| Current - Max | 25 mA |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | fSC |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
|---|