Allgemein
| Basis-Teilenummer | HN2D03 |
|---|---|
| Diode Configuration | 3 Independent |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Technologie | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D03F(TE85L,F)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 400 V |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Hersteller-Gehäuse | SM6 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|