Allgemein
| Eingangstyp | Standard |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 800 ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT50N322A
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 156 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P(N) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|