Allgemein
| Eingangstyp | Standard |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT50JR22(STA1,E,S)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Power - Max | 230 W |
Mechanisch
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P(N) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
|---|