GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Analog & Leistungselektronik

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

ObsoletTO-3PLAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGT50J121
EingangstypStandard
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Switching Energy1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C90ns/300ns
Test Condition300V, 50A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max240 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PL
Hersteller-GehäuseTO-3P(LH)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)