Allgemein
| Eingangstyp | Standard |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 5.9V @ 15V, 40A |
Toshiba Semiconductor and Storage
GT40WR21,Q
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Power - Max | 375 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P(N) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 175°C(TJ) |
|---|