GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Analog & Leistungselektronik

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGT10J312
EingangstypStandard
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
Td (on/off) @ 25°C400ns/400ns
Test Condition300V, 10A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)20 A
Power - Max60 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)