Allgemein
| Basis-Teilenummer | CVJ10F30 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CVJ10F30,LF
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 30 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | UFV |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|