Allgemein
| Basis-Teilenummer | CUS521 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 26pF @ 0V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500 mV @ 200 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 30 V |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Hersteller-Gehäuse | USC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|