Allgemein
| Basis-Teilenummer | CUS10S40 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 120pF @ 0V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S40,H3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400 mV @ 500 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 40 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Hersteller-Gehäuse | USC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|