Allgemein
| Basis-Teilenummer | CUS10F30 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10F30,H3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 30 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Hersteller-Gehäuse | USC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|