Allgemein
| Basis-Teilenummer | CUS06 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS06(TE85L,Q,M)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450 mV @ 700 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 20 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Hersteller-Gehäuse | US-FLAT (1.25x2.5) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|