Allgemein
| Basis-Teilenummer | CUHS10 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS10F60,H3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 60 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | US2H |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|