Allgemein
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Technologie | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
CMF02A,LQ(M
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Box |
|---|---|
| Package / Case | SOD-128 |
| Hersteller-Gehäuse | M-FLAT (2.4x3.8) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
|---|