Allgemein
| Basis-Teilenummer | BAS516 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 ns |
| Technologie | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS516,L3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 250mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 nA @ 80 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-79, SOD-523 |
| Hersteller-Gehäuse | ESC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|