Allgemein
| Basis-Teilenummer | 3SK293 |
|---|---|
| Konfiguration | N-Channel Dual Gate |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Noise Figure | 2.5dB |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET |
Toshiba Semiconductor and Storage
3SK293(TE85L,F)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
RF MOSFET 6V USQ
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Rated | 12.5 V |
|---|---|
| Voltage - Test | 6 V |
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 30mA |
| Frequenz | 800MHz |
| Gain | 22dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Hersteller-Gehäuse | USQ |