Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SK879 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK879-Y(TE85L,F)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
JFET N-CH 0.1W USM
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 400 mV @ 100 nA |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2 mA @ 10 V |
| Power - Max | 100 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Hersteller-Gehäuse | USM |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
|---|