Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SD2129 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Analog & Leistungselektronik
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1.5A, 3V |
| Power - Max | 2 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220NIS |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|