Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SC5712 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 140mV @ 20mA, 1A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5712(TE12L,F)
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 300mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Hersteller-Gehäuse | PW-MINI |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|