Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SB1481 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1481(TOJS,Q,M)
Analog & Leistungselektronik
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 2V |
| Power - Max | 2 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220NIS |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|