Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SA1955 |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Power - Max | 100 mW |
| Frequency - Transition | 130MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-723 |
| Hersteller-Gehäuse | VESM |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|