Allgemein
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1832-GR,LXHF
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 120 mW |
| Frequency - Transition | 80MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Hersteller-Gehäuse | SSM |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Qualification | AEC-Q101 |