Allgemein
| Basis-Teilenummer | 1SV279 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz |
| Capacitance Ratio | 2.5 |
| Capacitance Ratio Condition | C2/C10 |
| Diode Type | Single |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
1SV279,H3F
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 15 V |
|---|
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-79, SOD-523 |
| Hersteller-Gehäuse | ESC |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
|---|