1SS387,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC

AktivSC-79, SOD-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1SS387
Capacitance @ Vr, F0.5pF @ 0V, 1MHz
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 100 mA
Current - Average Rectified (Io)100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-79, SOD-523
Hersteller-GehäuseESC

Umwelt

Operating Temperature - Junction125°C (Max)