Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 0.06pF @ 200mV, 1MHz |
|---|---|
| Diode Type | Schottky - Single |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS315[U/D]
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
|---|---|
| Current - Max | 30 mA |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Hersteller-Gehäuse | USC |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
|---|