XP236N2001TR-G

Torex Semiconductor Ltd

XP236N2001TR-G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
HerstellerTorex Semiconductor Ltd
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)