OPA659IDRBT

Texas Instruments

OPA659IDRBT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON

Aktiv8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

VerstärkertypJ-FET
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Ausgangsstrom pro Kanal70 mA
Eingangs-Offsetspannung1 mV
Versorgungsspannungsbereich max.13 V
Versorgungsspannungsbereich min.7 V
Eingangs-Biasstrom10 pA
Versorgungsstrom32mA
-3db Bandwidth650 MHz
Gain-Bandwidth-Produkt350 MHz
Anzahl Schaltungen1
Anstiegsrate2550V/µs

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-SON (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C