LMG3425R050RQZT

Texas Instruments

LMG3425R050RQZT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

Aktiv54-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

AusgangskonfigurationHalf Bridge
Rds On (Typ)43mOhm
AnwendungenGeneral Purpose
Fault ProtectionOver Current, Over Temperature, UVLO
MerkmaleBootstrap Circuit, Latch Function, Slew Rate Controlled
SchnittstellePWM
Load TypeInductive, Capacitive, Resistive
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Ausgangsstrom pro Kanal1.2A
Current - Peak Output1.2A
Lastspannung7.5V ~ 18V
Versorgungsspannung7.5V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case54-VQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse54-VQFN (12x12)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)