LMG1210RVRT

Texas Instruments

LMG1210RVRT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

Aktiv19-WFQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerLMG1210
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)500ps, 500ps

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1.5A, 3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Versorgungsspannung4.75V ~ 5.25V, 6V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case19-WFQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse19-WQFN (3x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TJ)