LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments

LM5113QDPRRQ1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Aktiv10-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerLM5113
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)7ns, 3.5ns
SerieAutomotive, AEC-Q100

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1.2A, 5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case10-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-WSON (4x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TJ)