CSD88599Q5DC

Texas Instruments

CSD88599Q5DC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

Aktiv22-PowerTFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerCSD88599Q5
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4840pF @ 30V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Power - Max12W

Mechanisch

Package / Case22-PowerTFDFN
Hersteller-Gehäuse22-VSON-CLIP (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)