CSD87502Q2

Texas Instruments

CSD87502Q2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerCSD87502
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds353pF @ 15V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Power - Max2.3W

Mechanisch

Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)