CSD87312Q3E

Texas Instruments

CSD87312Q3E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
Basis-TeilenummerCSD87312Q3
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 15V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A
Power - Max2.5W

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-VSON (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)