CSD86360Q5D

Texas Instruments

CSD86360Q5D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON

Aktiv8-PowerLDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerCSD86360Q5
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 12.5
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Power - Max13W

Mechanisch

Package / Case8-PowerLDFN
Hersteller-Gehäuse8-LSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)