CSD86350Q5DT

Texas Instruments

CSD86350Q5DT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

Aktiv8-PowerLDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Basis-TeilenummerCSD86350
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
Power - Max13W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
Hersteller-Gehäuse8-LSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)