CSD75211W1723

Texas Instruments

CSD75211W1723

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

Obsolet12-UFBGA, DSBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2A, 4.5V
Basis-TeilenummerCSD75211
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case12-UFBGA, DSBGA
Hersteller-Gehäuse12-DSBGA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)