CSD75208W1015T

Texas Instruments

CSD75208W1015T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA

Aktiv6-UFBGA, DSBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-TeilenummerCSD75208
Konfiguration2 P-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 10V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max750mW

Mechanisch

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
Hersteller-Gehäuse6-DSBGA (1x1.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)