CSD25484F4

Texas Instruments

CSD25484F4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 500mA, 8V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieFemtoFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

Package / Case3-XFDFN
Hersteller-Gehäuse3-PICOSTAR

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)