CSD25301W1015

Texas Instruments

CSD25301W1015

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

Obsolet6-UFBGA, DSBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
Hersteller-Gehäuse6-DSBGA (1x1.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)