CSD23201W10

Texas Instruments

CSD23201W10

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Obsolet4-UFBGA, DSBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 6 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

Package / Case4-UFBGA, DSBGA
Hersteller-Gehäuse4-DSBGA (1x1)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)