CSD19537Q3

Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1680 pF @ 50 V
Hersteller	Texas Instruments
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	NexFET™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Max. Verlustleistung	2.8W (Ta), 83W (Tc)

Package / Case	8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)