CSD18543Q3AT

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.6mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 30 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 60A (Tc)
Max. Verlustleistung66W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-VSONP (3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)