CSD17575Q3

Texas Instruments

CSD17575Q3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4420 pF @ 15 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta), 108W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)