CSD17553Q5A

Texas Instruments

CSD17553Q5A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3252 pF @ 15 V
HerstellerTexas Instruments
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieNexFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23.5A (Ta), 100A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-VSONP (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)