Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Zugriffszeit | 85 ns |
| Basis-Teilenummer | BQ4010 |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 85ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Zugriffszeit | 85 ns |
| Basis-Teilenummer | BQ4010 |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 85ns |
| Speichergröße | 64Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | NVSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.75V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 8K x 8 |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|