Allgemein
| Basis-Teilenummer | UG54 |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
UG54GHB0G
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Hersteller-Gehäuse | DO-201AD |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |