TSS4B03GHD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B03GHD2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B

Aktiv4-SIP, TS-4BAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerTSS4B03
Diode TypeSingle Phase
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-SIP, TS-4B
Hersteller-GehäuseTS4B

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101