Allgemein
| Basis-Teilenummer | TSN525 |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
TSN525M60
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 60V 25A 8DFN
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630 mV @ 25 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 60 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Hersteller-Gehäuse | 8-PDFN (5x6) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|