TSM3911DCX6

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3911DCX6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerTSM3911
Konfiguration2 P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.23nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds882.51pF @ 6V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id0.95V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
Power - Max1.15W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)