TSM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR RLG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 7A/30A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V
Basis-TeilenummerTSM250
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1461pF @ 30V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 30A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 48W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)